RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
37
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2277
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link