RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
56
Autour de -75% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
2858
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link