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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
56
左右 -75% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.7
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
32
读取速度,GB/s
4,387.7
18.3
写入速度,GB/s
1,813.5
12.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2858
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
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Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
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Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
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