RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
56
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
12.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2858
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link