RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
56
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
12.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
2858
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link