RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
26
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3843
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link