RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
51
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.9
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
32
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
10.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2370
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link