RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 51
    周辺 -59% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.9 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.3 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 10.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 8.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2208 left arrow 2370

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAMの比較

TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB RAMの比較

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
メモリRAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
メモリRAM