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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Note globale
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Raisons de considérer
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
52
Autour de -93% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
27
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2179
2632
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
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Kingston 9905624-018.A00G 8GB
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Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
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