Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

Note globale
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Note globale
star star star star star
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    43 left arrow 44
    Autour de -2% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15 left arrow 11.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    13.0 left arrow 8.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    23400 left arrow 10600
    Autour de 2.21 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    44 left arrow 43
  • Vitesse de lecture, GB/s
    11.2 left arrow 15.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.1 left arrow 13.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 23400
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2293 left arrow 2794
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons