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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
43
44
左右 -2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
43
读取速度,GB/s
11.2
15.0
写入速度,GB/s
8.1
13.0
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2794
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
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