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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
総合得点
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
総合得点
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
43
44
周辺 -2% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15
11.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.0
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
10600
周辺 2.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
43
読み出し速度、GB/s
11.2
15.0
書き込み速度、GB/秒
8.1
13.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
23400
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2293
2794
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RAM Latency Calculator
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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