RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
49
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
40
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
3015
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link