RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
49
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
40
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3015
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link