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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
49
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
40
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3015
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
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