RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.8
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2266
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link