RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2266
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link