RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
30
Intorno 10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.8
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
30
Velocità di lettura, GB/s
11.8
11.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2266
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Mushkin 991586 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link