RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.8
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
11.2
Скорость записи, Гб/сек
7.3
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2266
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link