RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
104
Autour de -316% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2786
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link