RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
104
Autour de -189% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3313
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link