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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
104
Intorno -189% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
36
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3313
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
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