RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
104
Autour de -225% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3379
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link