RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
104
Autour de -352% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
19.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
16.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3832
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link