RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
104
Autour de -167% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
39
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3027
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link