RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
15.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
104
Autour de -447% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3383
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link