RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
15.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
104
Intorno -447% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
19
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3383
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link