RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
104
Autour de -108% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
50
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
1976
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link