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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
104
Autour de -181% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.1
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
9.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2046
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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