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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

総合得点
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 104
    周辺 -181% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.6 left arrow 2,404.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    104 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    3,192.0 left arrow 9.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,404.5 left arrow 7.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    786 left arrow 2046

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