RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
104
Autour de -333% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.7
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2168
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link