RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
60
104
Autour de -73% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
60
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2359
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link