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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
104
Autour de -259% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
6400
Autour de 3.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
23400
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
no data
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3093
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
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