RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
21.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
104
Autour de -512% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
17
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
21.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
18.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3528
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre 0000 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link