RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
104
Autour de -271% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2658
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link