RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
104
Intorno -271% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
28
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2658
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link