RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
104
Autour de -352% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2619
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link