RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
73
Autour de -97% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2512
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link