RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
73
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
13.0
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2512
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link