RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
73
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2512
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link