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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
73
Por volta de -97% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
7.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2512
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
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