RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
69
Autour de -146% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3675
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link