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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
69
左右 -146% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
28
读取速度,GB/s
3,325.1
17.3
写入速度,GB/s
1,441.2
15.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3675
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
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