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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
69
Autour de -86% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3529
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
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