RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
69
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3529
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link