RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
69
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3529
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link