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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
64
Autour de -191% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
1,869.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,477.7
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,869.1
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
697
3083
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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