RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
64
En -191% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
1,869.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,477.7
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,869.1
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
697
3083
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link