RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
64
Intorno -191% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
1,869.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
22
Velocità di lettura, GB/s
4,477.7
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,869.1
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
697
3083
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link