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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Comparez
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Note globale
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Note globale
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
44
Autour de -2% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
44
43
Vitesse de lecture, GB/s
13.0
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
10600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2069
1889
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
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